Транзистор 2Т819А
Артикул: 100195
Производитель: Россия
от 4,68 BYN
РадиоЧип
в наличии 15 шт.
| Срок поставки | Кол-во от | Цена | Заказать |
|---|---|---|---|
| 1 дн. | 1 шт. | 4,68 BYN |
Склад 12
в наличии 9 шт.
| Срок поставки | Кол-во от | Цена | Заказать |
|---|---|---|---|
| 14 дн. | 1 шт. | 22,61 BYN |
| Тип | биполярные |
Транзисторы 2Т819А кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные.
Корпус металлический со стеклянными изоляторами и жесткими выводами.
Основные технические характеристики транзистора 2Т819А:
- Структура транзистора: n-p-n;
- Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 3 Вт;
- Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 100 Вт;
- fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 3 МГц;
- Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 100 В (0,1кОм);
- Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;
- Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 15 А;
- Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 20 А;
- Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 1 мА (40В);
- h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 20;
- Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,4 Ом
