Новые CoolSiC MOSFET 650 В – революция в области источников питания

Компания Infineon представила новые высоковольтные MOSFET 650 В серии CoolSiC, выполненные по технологии Trench. Используя 20-летний опыт разработки силовых полупроводниковых приборов, Infineon выпустила транзисторы на основе карбида кремния (SiC).

Для разработчиков новые транзисторы – это уникальная комбинация производительности, надежности и эффективности, а также малая зависимость сопротивления открытого канала Rds(on) от температуры по сравнению с обычными кремниевыми MOSFET.

Особенности:

• Низкие потери на переключение;
• Простота использования – управление напряжением 0…18 В;
• Наличие внутреннего диода (body diode) с низким зарядом обратного восстановления (Qrr);
• Слабая зависимость Rds(on) от температуры по сравнению с обычными MOSFET (см. таблицу ниже);
• Возможность работы со стандартными драйверами;
• Возможность работы в топологиях с жесткой коммутацией.

Области применения:

• Серверное оборудование;
• Источники бесперебойного питания (ИБП);
• Телекоммуникационное оборудование;
• Солнечные инверторы;
• Зарядные устройства;
• Промышленные импульсные источники питания (SMPS);
• Системы хранения энергии.

Пример использования MOSFET 650 В в схеме источника питания