Товар доступен под заказ — свяжитесь с нами для уточнения срока и цены.
Документация не загружена.
| Аналог | SMD-MMBFJ175, J175 |
Технические характеристики:
Структура: N-FET
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 10
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: 7
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс.,Вт: 0.12
Крутизна характеристики S,мА/В: 3
